Autor Tema: Apuntes y guía Fundamentos de Sistemas Digitales Uned Ingeniería Informática  (Leído 21615 veces)

nosferacento

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Partes del circuito 555 temporizador comparador transistor resistencia biestable
« Respuesta #40 en: 03 de Septiembre 2019, 19:03 »
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Contenidos

ELECTRÓNICA: LÓGICA SECUENCIAL

- Conceptos sobre los temporizadores 555 (Signetics)
- Elementos intervinientes: comparadores, biestable, transistor, resistencia.
- Tensión de alimentación. Divisor de tensión creado con resistencias.
- Concepto de transistor. Explicación ¿qué es un transistor? Base, colector y emisor.
- Circuito de ejemplo con un led y una pila. Concepto de ganancia de un transistor.
- Concepto de divisor de voltaje. Explicación ¿qué es un divisor de voltaje?
- Concepto de condensador. Explicación ¿qué es un condensador?
- Esquema del circuito 555: Vcc, umbral, tensión de control, disparo, descarga, tierra, reset, salida.
- Redes externas para configuración del 555 como monoestable o como astable. Modos.
- Condensador auxiliar y condensador principal.




Recomendaciones


Lee y comprende lo que se explica. Debes comprender bien las partes de las que consta un circuito 555, y los modos en los que puede funcionar (configuración).

Hay partes que debes memorizar, pero lo más importante es tener asentados los conceptos. Esta parte es quizás no tan importante, pero te ayudará a resolver algunos exámenes. Continúa avanzando. No te detengas, el temario es largo.

nosferacento

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circuito 555 monoestable no redisparable pulso cálculo astable patrones relojes
« Respuesta #41 en: 03 de Septiembre 2019, 19:14 »
Descarga los contenidos que se indican a continuación de la asignatura de Fundamentos de Sistemas Digitales (Electrónica) de Ingeniería Informática de la UNED (es necesario estar logado en los foros para poder descargar los adjuntos).

Contenidos

ELECTRÓNICA: LÓGICA SECUENCIAL

- Conceptos sobre los temporizadores 555 (Signetics)
- El 555 como monoestable no redisparable. Introducción red RC clásica. Umbral. Control. Disparo.
- Duración de un pulso. Ejemplo cálculo.
- El circuito 555 como astable. Diferencias con el esquema monoestable.
- Otros usos del circuito 555. Generación de patrones compuestos de onda.
- Temporizadores programables.
- Relojes circuitos de tiempo.




Recomendaciones

Lee y comprende lo que se explica. Debes comprender bien las partes de las que consta un circuito 555, los modos en los que puede funcionar y qué es un reloj.

Hay partes que debes memorizar, pero lo más importante es tener asentados los conceptos. Esta parte es quizás no tan importante, pero te ayudará a resolver algunos exámenes. Continúa avanzando. No te detengas, el temario es largo.

nosferacento

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circuitos memoria celda SRAM tecnología bipolar NMOS y PMOS diferencias ejemplo
« Respuesta #42 en: 03 de Septiembre 2019, 19:33 »
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Contenidos

ELECTRÓNICA: LÓGICA SECUENCIAL

- Circuitos de memoria. Memorias volátiles.
- Diferencia entre memoria RAM y CAM. Random Access Memory
- Memorias SRAM (Static Random Access Memory) y DRAM (Dinamic Random Access Memory)
- Clasificación de memorias volátiles según forma de direccionamiento: RAM, CAM, FIFO, LIFO
- Acceso aleatorio, por contenidos ó secuencial.
- Organización de las memorias SRAM. Elemento básico: celda R-S. Palabras. Bits.
- Decodificadores. Direccionamiento. Lectura. Escritura.
- Ciclos de lectura o escritura. Fases.
- Evolución de las SRAM.
- Celdas RAM estáticas (SRAM) en tecnología bipolar.
- Recordatorio sobre transistores. Representación de transistores.
- Transistores MOS: NMOS y PMOS.
- Cuándo un transistor está en corte y cuándo conduce.
- Esquema de celda de memoria SRAM. Línea de selección de celda WL.
- Líneas de escritura BL y BL negado.


Recomendaciones

Lee y comprende lo que se explica. Debes comprender bien qué es una palabra, qué es el direccionamiento y cómo una celda de memoria puede representar un bit.

Hay partes que debes memorizar, pero lo más importante es tener asentados los conceptos. Esta parte es quizás no tan importante, pero te ayudará a resolver algunos exámenes. Continúa avanzando. No te detengas, el temario es largo.
« Última modificación: 05 de Septiembre 2019, 18:18 por nosferacento »

nosferacento

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celdas de memoria digital SRAM DRAM diferencias ventajas e inconvenientes MOS WL
« Respuesta #43 en: 05 de Septiembre 2019, 18:25 »
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Contenidos

ELECTRÓNICA: LÓGICA SECUENCIAL

- Celdas de memoria RAM estáticas (SRAM) en tecnología MOS
- Estudio de una celda SRAM tecnología MOS de 6 transistores
- Línea de selección de celda WL
- Escritura a través de las líneas BL y BL negada
- Lectura (salida de datos)
- Variante de celda donde dos transistores se reemplazan por resistencias
- Celdas RAM dinámicas (DRAM) en tecnología MOS
- Celda DRAM con cuatro transistores
- Celda DRAM con tres transistores. Línea de lectura, de escritura y de entrada de datos.
- Celda DRAM con un único transistor.
- Organización de las memorias RAM dinámicas (DRAM).
- Ventajas e inconvenientes de la memoria DRAM frente a SRAM
- Clasificación de memorias DRAM: síncronas y asíncronas.
- Acceso por ráfagas.
- Circuitos de memoria asociativa (CAM ó Content Addressable Memory)
- Organización de un circuito CAM
- Celda CAM básica en CMOS




Recomendaciones

Lee y comprende lo que se explica. Debes comprender bien la diferencia entre memoria SRAM y DRAM, y el papel que juegan las diferentes líneas (lectura, escritura, entrada de datos) que pueden intervenir en una celda.

Hay partes que debes memorizar, pero lo más importante es tener asentados los conceptos. Esta parte es quizás no tan importante, pero te ayudará a resolver algunos exámenes. Continúa avanzando. No te detengas, el temario es largo.
« Última modificación: 05 de Septiembre 2019, 18:30 por nosferacento »

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electrónica memorias FIFO y LIFO buffers almacenamiento temporal arquitectura
« Respuesta #44 en: 05 de Septiembre 2019, 18:46 »
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Contenidos

ELECTRÓNICA: LÓGICA SECUENCIAL

- Electrónica: memorias de acceso secuencial.
- Clasificación de memorias según persistencia de la información
- Clasificación de memorias según forma de acceso a una dirección: aleatorias, por contenido, secuencial.
- Papel de los registros de desplazamiento.
- Memorias FIFO: first-in, first-out
- Esquema de una memoria FIFO
- Organización de memoria LIFO last-in first-out ó de pila (Stack)
- Memorias CCD (Charge coupled device)
- Etapas dinámicas en MOS y CMOS
- Dispositivos CCD
- Memorias FIFO sobre celdas RAM en CMOS
- Almacenamiento transitorio de datos en buffers
- Tipos de memoria FIFO
- Arquitecturas de las memorias FIFO-RAM. Arquitectura lineal y circular.
- Ejemplos circuitos comerciales. Aplicaciones de las FIFO.






Recomendaciones

Lee y comprende lo que se explica. Debes comprender bien la diferencia entre lógica FIFO y LIFO, y el papel que juegan los registros de desplazamiento en estas memorias.

Hay partes que debes memorizar, pero lo más importante es tener asentados los conceptos. Esta parte es quizás no tan importante, pero te ayudará a resolver algunos exámenes. Dedica ahora no más de 6 horas a resolver ejercicios de examen relacionados con celdas de memoria.

No voy a repetir el "Continúa avanzando. No te detengas, el temario es largo." que tanto he repetido. Hemos llegado al final del temario  :) (enhorabuena a quien lo haya alcanzado), con lo cual pasamos a hacer algunas consideraciones finales.

nosferacento

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ejercicios resueltos electrónica (fundamentos sistemas digitales) UNED Ing Infor
« Respuesta #45 en: 05 de Septiembre 2019, 19:28 »
Si has completado el estudio del temario (y quizás también las prácticas), es el momento de centrarte en prepararte el examen. Y para ello, ya que no hay tiempo para pasos intermedios, lo más lógico es que vayas directamente a exámenes de años anteriores y te ejercicites en resolver ejercicios.

El examen tiene varias dificultades:

- La extensión del temario y su complejidad.

- La dificultad de las preguntas, que normalmente es alta ó media.

- El tiempo: tienes que mentalizarte que no tendrás tiempo para cometer errores y rehacer ejercicios si te has equivocado. Tienes que "acertar a la primera" porque el examen es muy justo de tiempo. Incluso sabiendo cómo resolver todo y sin equivocaciones, es bastante probable que te falte tiempo para completar el examen. Por ello es fundamental que hagas varias simulaciones reales de examen: resolver un examen completo. En la primera simulación quizás tardes 5 ó 6 horas. Pero en el examen sólo tendrás 2. O posiblemente 1 h 45 min (entre reparto-entrada-salida). Así que tendrás que hacer simulaciones hasta lograr resolver casi todo un examen en 2 horas.

No te preocupes si no te da tiempo a resolver uno ó dos apartados. En ese caso, demuestra que tienes conocimientos. Deja escrito qué pasos darías para resolverlo, esquemáticamente. Esto te permitirá obtener una parte de la puntuación. Intenta no dejar sin contestar nada (aunque no lo contestes bien, intenta dar una respuesta aunque sea sólo una indicación de cómo se resolvería).

Un error típico es recopilar todos los exámenes de todos los cursos anteriores y resolverlos todos. Parece buena idea pero no lo es. ¿Por qué? Porque no hay tiempo. Esto te requeriría meses. Mi recomendación es que te dirijas a este hilo:

Exámenes resueltos de la Asignatura "Fundamentos de sistemas digitales" del primer curso de Grado en Ingeniería Informática – Grado en Ingeniería de las Tecnologías de la Información de la UNED: https://www.aprenderaprogramar.com/foros/index.php?topic=6938.0

Céntrate en saber resolver esos exámenes, que incluyen preguntas de todo tipo (test/desarrollo, lógica combinacional/secuencial, etc.). Aún centrándote en estos exámenes posiblemente te falte tiempo para verlos todos ellos.

Podría hablarse mucho más, pero ya está casi todo dicho.

Suerte...
« Última modificación: 11 de Septiembre 2019, 21:28 por nosferacento »

 

Sobre la educación, sólo puedo decir que es el tema más importante en el que nosotros, como pueblo, debemos involucrarnos.

Abraham Lincoln (1808-1865) Presidente estadounidense.

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